©2022TheAuthorsa、北京北京铜箔上生长的粗糙石墨烯膜的照片。
动力（e）典型的10nm弹道2DInSeFET在从300K到100K的各种温度下的传输特性。该研究设计的InSeFET可以有效抑制短沟道效应，展26中展览其低亚阈值摆动（SS）为每十年75mV，漏极诱导的势垒降低（DIBL）为22mVV-1。
在Nature，国国NanoLetters等国际知名杂志上以第一作者身份发表论文九篇，国国博士期间针对二维电子学领域的关键科学瓶颈和底层科学问题进行攻关，实现了近弹道输运的高速二维晶体管，性能和功耗均优于商用硅基先进技术节点。 图3InSe、际动机组硅和InGaAsFET的基准测试 © 2023SpringerNatureLimited（a）五种典型的弹道2DInSeFET（彩色点）、际动机组10nm节点硅FinFET（Intel，黑色实线）32和20nmLGInGaAsFinFET的传输特性比较，通过最先进的FinPitch=34nm（IBM，黑色虚线）进行归一化。国家基金委优青（2021）、力及国家重点研发计划青年首席科学家（2021）、KJW173JCJQ首席科学家（2022）。
金色、发电蓝色和紫色球体分别代表In、Se和Y原子。（g）与独立InSe相比，北京北京Y-InSe的XPS光谱的偏移（所有C1s峰在284.8eV处）。
动力Y原子取代In原子和Se原子。
Nature论文弹道InSe晶体管研制出世界上迄今弹道率最高、展26中展览速度最快、功耗最低的二维晶体管，性能超过硅基极限。04、国国数据概览 图1 弹道InSeFETs的结构和电子特性 © 2023SpringerNatureLimited（a）硅和典型二维半导体材料的热速度和缩放长度。
03、际动机组核心创新点1、际动机组该研究成功设计了一种以2DInSe作为沟道材料的FET，该FET在0.5V下工作，并实现了6mSμm-1的创纪录的高跨导和83%的饱和区室温弹道比，创造了新纪录。邱晨光研究员北京大学电子学院研究员，力及博雅青年学者。
（g）与独立InSe相比，发电Y-InSe的XPS光谱的偏移（所有C1s峰在284.8eV处）。北京北京（d）典型的10nm节点硅FinFET和2DFET的横截面示意图。
